具有抗沉降特性的双线圈内置阀门磁流变阻尼器的设计与实验研究
时间：2025年10月8日
来源：Journal of Magnetism and Magnetic Materials
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本研究提出
一种内置双线圈防沉淀磁流变减震器（DC-BIV-MRD/AS），通过磁路建模和有限元分析优化结构，实验表明其减震力达3350N，动态范围3.92，并有效抑制了流体沉淀问题。
Research articl
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